日前，2021年度第十八届王大珩光学奖评选结果揭晓，评选出学生奖获得者30名，我校光电工程学院在读博士研究生亢玉彬名列其中。

王大珩光学奖至今已设立25年，源自我国光学事业奠基人、“两弹一星”功勋科学家、两院院士、我校创始人王大珩先生于1996年出资在中国光学学会设立的基金。该奖项旨在促进我国光学科技事业的发展，激励我国从事光学与光学工程领域的中青年科技工作者与高校学生奋发向上、创新进取。目前，该奖项已评选十八届，先后评选出中青年科技人员奖获奖者31名、学生奖获奖者321名。许多获奖人员成为学有成就的科学家，其中多人担任科技部门、科研单位、国家重点实验室等的负责人。

亢玉彬，光电工程学院在读博士研究生，硕博期间师从唐吉龙研究员，主要从事III-V族GaAs基、GaSb基半导体材料外延和光电探测器器件研究，成果突出。2021年，他开创性地提出采用“剪切应力工程”技术通过WZ相和ZB相的原子排布差异形成剪切应力使得原子发生重排，消除GaAs纳米线中的WZ相和缺陷，解决了III-V族纳米材料相控制的技术难题，最终实现整根纯ZB相GaAs纳米线。他参与多项科研项目的申请和研究工作。截至目前，已在国际知名期刊《光子学》《应用物理学快报》《光学材料快报》《晶体工程通讯》等发表科研论文18篇，其中第一作者10篇、1区Top文章1篇、2区文章3篇、3区文章2篇；国家发明专利2项。

（供稿：光电工程学院   撰稿：罗亮   审核：杨勇鑫   编辑：周南）